当前位置：首页>>科技资源>>电子信息
电子信息
氮化镓(GaN)基蓝光发光二极管外延材料

成果简介
    该课题组发明了具有量子耦合的宽窄阱组合量子阱结构替代单一宽度的阱。采用这一发明，内量子效率提高到了 50%～ 60%，LED发光强度有了突破性提高。本技术已申请国际国内发明专利，在上海等地正在进行产业化推广。
 
    GaN基LED具有以下特点：高效率、低功耗、节能、环保；长寿命、低维修成本；低电压、安全；耐恶劣条件、抗震。GaN基LED的内量子效率是半导体照明产品性能提高的一个核心因素。目前，欧、美、日产品的内量子效率水平达到了60%左右，韩国、中国台湾地区 30%～ 40%，国内水平在 20%左右。
 
    在863计划支持下，研发的GaN基LED外延片已达到国际先进水平。蓝光LED输出功率大于12mW(20mA)；绿光LED发光功率>8mW，紫外LED在415nm的输出功率大于9mW(20mA).研发的LED外延产品在发光强度、寿命、可靠性等方面获得突破性提高，将对LED产业技术形成极大促进。
 
拥有的专利：已受理、授权专利情况13项。
 
预期转化方式：技术转让，技术合作，共同开发。
科技资源
腾讯微博 新浪微博
热点内容