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基于同质外延技术的超大功率单芯片LED产业化

该项目拥有独立自主知识产权,技术已达国际先进水平。

应用领域 高端半导体照明领域。

技术指标 1w白光LED光通量100~120lm,光效100~120lm/w;3w白光LED光通量180~200lm,光效60~70lm/w。

创新内容 :采用自主研发的同质氮化镓衬底,实现垂直结构LED,提高了材料质量,减小了器件发热;自主开发的同质外延在位监控系统及纳米图形化设计,大大提高了产品质量。

成熟程度 小批量生产阶段。

应用前景 :2012年LED将占通用照明市场的15%份额,有巨大的市场潜力。

投资规模: 6000万可建成相应生产线。

合作方式:技术合作、技术服务等。