成果简介

该研究组经过五年多的持续攻关研究，独创了一种低温界面工程技术，在2英寸Si晶片上制备出高质量的ZnO单晶薄膜，其结晶性和光电性能等综合指标居国际领先水平；并进一步设计和研制出新型n－ZnO/i-MgO/p-Si双异质结p-i-n紫外探测器，实现了Si基ZnO可见盲紫外探测功能。与市售的硅紫外光电探测器相比，该器件充分利用了宽带隙ZnO卓越的光电性能，紫外光响应强，并可直接在可见光背景下工作，不需要滤光系统来屏蔽可见光的响应，因而具有结构简单、性能优越等优点。相关核心技术已获国家授权发明专利3项，申请国际专利2项。

拥有的专利：发明专利3项

预期转化方式：技术转让，技术合作，共同开发。