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一、项目概况
作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力，如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。中国科学院的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法（CVT法），而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米，4毫米厚的ZnO单晶。
二、技术创新点
这种ZnO单晶材料的位错密度为200cm-2，显示了相当好的材料质量。与生长ZnO单晶的其它方法相比，采用闭管CVT法生长ZnO单晶的突出优点是生长设备成本低、生长速度快、材料的质量好。此外，整个生长过程在封闭的石英管内进行，无需携载气体，因而进一步降低了材料的生长成本。这项技术的突破对于提供价格低、质量好的ZnO单晶衬底材料，满足研制新型蓝光、紫外光器件的需求具有重要的意义。
三、主要应用范围
可用于超高密度光存储、全色显示、白光照明、激光打印、火焰传感器、污染检测仪、紫外光控制器、紫外光谱仪、透明大功率电子器件和太阳能电池的窗口材料等。
四、市场情况
以10台生长炉每年可生长800炉次，预计可生产2英寸直径的ZnO单晶片3000片。目前2英寸ZnO单晶片的价格估计为2-10万元/片，因此，年产值至少可达6千万元。
五、合作方式：技术入股。
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