性能:

（0001）晶向，直径40-50毫米，电阻率大于109欧姆厘米。

成果介绍:
III族氮化物GaN、AlN及其三元组合化合物是制造波长为190nm-350nm的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN具有高热导率（3.4W/cmK），与高Al组份的AlGaN材料和GaN材料晶格匹配等优点，是一种研制新型大功率微波器件和短波长发光器件的极为理想的衬底材料。大尺寸AlN单晶材料的研制成功将加快深紫外发光器件、新型大功率射频器件的发展和在半导体照明、医疗卫生、生物检测、微波通信等领域的应用。

合作方式：
技术转让或技术入股。