成果简介:

1、炉内合成锑化镓多晶，其优点是合成速度快、化学配比好、杂质沾污少，多晶的生产成本低。

2、熔体表面的浮渣的去除技术，保证单晶生长的进行。

3、单晶生长。用液封直拉法生长2英寸和3英寸直径、（100）和（111）晶向、掺蹄N型低阻、掺锌P型低阻和非掺杂锑化镓单晶锭，晶体的位错密度低、残留应力小、成晶率高。

4、晶片的切割、研磨、抛光、腐蚀和清洗等工艺技术。可达到晶片的开盒即用技术要求。

成果状况:
    目前已中、小批量生产锑化镓多晶和单晶片。产品销售给美国、日本、新加坡和国内的多家用户，近5年已累计销售近几百万元人民币。

应用前景:
    生产锑化镓多晶、锑化镓单晶抛光片，用于外延生长远红外激光器、发光管用材料和制造太阳能电池、光电转换器。

应用领域:
    半导体光电子材料。

合作方式：
技术转让或技术入股。