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先进制造
HQ-8A型等离子体增强化学气相淀积系统(PECVD)

技术特点：
  1. 膜质量高。它不同于通常的翻盖式单室机（易漏大气而使淀积的薄膜质量不高），而是一种操作方便的双室系统。由于采用了特殊的反应室结构设计，在薄膜生长过程中反应室不存在漏大气的问题，因此生成的膜质量很高。例如，生长的SiNx薄膜抗氢氧化钾腐蚀的能力强（可在85oC溶液中抗腐蚀5小时以上）。
  2. 粉尘少。特殊腔室结构克服了以往常规方法淀积时粉尘多的缺点。
  3. 均匀性好。反应室内采用了多级匀气系统，故薄膜的均匀性好。
  4. 淀积温度范围宽（100～600℃可调）。
  5. 工艺程序自动化。触摸屏控制、动画实时显示工艺过程的状况和提示。
  6. 射频电源自动匹配。

主要指标：
  1. 特殊的平板式双反应室系统1套。带加温和匀气系统。
  2. 机械泵2个；增压泵和分子泵各1套，带控制电源。
  3. 射频电源一套，带正向功率和反射功率计指示，带自动匹配器。
  4. 数字定时器1只，精度1秒。
  5. 数字温度控制系统1套。
  6. 工艺程序自动化。触摸屏控制、动画实时显示工艺过程的状况和提示。
  7. 质量流量计4个；气路4路 ( 可增选 )。
  8. PECVD淀积：二氧化硅，氮化硅，α-Si和Poly-Si等薄膜
  9. 均匀性误差：≤ ± 4％ ( 4英寸内 )
  10. 4英寸，兼容3英寸，2英寸及小碎片。
  11.工作温度： 100～600℃

应用状况：
    除淀积SiN、SiO2、非晶硅、多晶硅外，还可用于探索特殊新材料的研究。特别适合科研和小规模生产，由HQ-2型升级后的HQ-8A型PECVD增加了自动程序控制和射频自动匹配，使操作更加简单、重复。
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