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先进制造
高密度等离子体刻蚀机

技术特点：
    ICP-98A型是一种刻蚀速率高、加工精度高、损伤小的新一代先进刻蚀机它由一组大功率的射频激励电源通过感应耦合在反应室内产生高密度等离子体，而由另一组功率较小的偏压电源引导离子垂直于被刻蚀物体运动，从而达到各向异性和高速低损伤刻蚀的目的。可刻蚀出几十纳米的近90度陡直的图形；还可用于百微米级的MEMS Si深刻蚀和W的深刻蚀。

ICP-98C型：
    该机采用带Load-Lock双室结构，可以在反应室不接触大气的情况下送取基片，它可以使用氯基气体进行刻蚀。基片采用氦冷却水冷控温措施，可在高功率下进行刻蚀，工艺范围变得宽广。涡轮分子泵及机械真空泵都采用了特殊措施，增强了抗Cl气腐蚀性。该机能在低气压下刻蚀，从而获得深亚微米图形，并能减少片子表面的聚合物淀积。

主要指标：
  1.激励电源：13.56MHz 1500W；带匹配器和功率计。1台。
  2.偏压电源：500W；带匹配器和功率计。带定时器。1台。
  3.真空系统：620升/秒分子泵、8升/秒机械泵各1台。带真空计。
  4.反应室尺寸：Ф300mm
  5.气路系统：6路进气 (其中2路可作清洗)；4个质量流量计，4路显示。
  6.可加工片子尺寸：4英寸及小片。
  7.均匀性：±5% (4英寸硅片内)

应用状况：
    适用于科研和小规模生产。ICP-98A型用F基气体，可刻蚀Si、Poly-Si、SiC、Si3N4、SiO2、W、WSi、Mo、MoSi、Ta、TaSi、石英等，用O2气还可去胶；ICP-98C型用Cl基气体，可刻蚀Al、GaAs、GaN等多种金属和化合物半导体薄膜材料，也可用F基气体刻蚀Si、Poly-Si、SiNx、SiO2、W、WSi、Mo、MoSi、Ta、TaSi、石英等。

    该机已售往北京、上海、杭州、新加坡、苏州、深圳、西安、香港、南京、等地的高校、科研单位及高技术公司。
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