成果简介 由此方法制备的甲基膦酸甲酯铝阻燃剂热分解温度高于325 ℃，可以用作热塑型塑料如PBT树脂、PET树脂、PA66树脂和PPO树脂的V-0级阻燃剂。 技术指标：收率90%；热分解温度高于325℃。 拥有的专利：200910220450.0 预期转化方式：技术转让、合作开发...

技术简介及性能指标 醇/水分离目前主要采用变压吸附分离（PSA）。与PSA相比，无机分子筛膜可以直接将醇与水进行筛分，具有操作简单、无污染和低能耗等特点，是解决醇/水分离的关键技术之一，有着极强的竞争力和巨大的市场需求。 主要技术指标为：操作温度80-...

技术特点： 本项目成功开发了工业应用规格A型分子筛膜的制备技术，该制备技术操作简单，重复性好。所制备的A型分子筛膜对于乙醇、异丙醇、四氢呋喃、乙酸乙酯、二甲基甲酰胺等各种有机溶剂和水的渗透汽化分离具有很高的分离性能。 主要指标： 与传统的精馏法...

技术特点： 本项目研究开发乙炔羰基化合成丙烯酸的新型催化剂和相关工艺技术集成，为在我国利用天然气制乙炔或电石乙炔合成丙烯酸的万吨级工业化装置建设提供软件包。 应用状况： 该项目工业化装置成功推广应用为我国在丙烯酸领域的发展填补技术空白，并拥有...

成果简介: 1、炉内合成锑化镓多晶，其优点是合成速度快、化学配比好、杂质沾污少，多晶的生产成本低。 2、熔体表面的浮渣的去除技术，保证单晶生长的进行。 3、单晶生长。用液封直拉法生长2英寸和3英寸直径、（100）和（111）晶向、掺蹄N型低阻、掺锌P型低阻...

性能: （0001）晶向，直径40-50毫米，电阻率大于109欧姆厘米。 成果介绍: III族氮化物GaN、AlN及其三元组合化合物是制造波长为190nm-350nm的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN具有高热导率（3.4W/cmK），与高Al组份的AlGaN材料和GaN材料晶格匹配...

成果简介： 本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新...

成果简介： 碳化硅（SiC）是一种具有极其优异性能的第三代化合物半导体材料，它不但具有宽禁带（Si的3倍）、高热导率（Si的3.3倍）、高击穿场强(Si的10倍)、高饱和电子漂移速率(Si的2.5倍)等特点，而且还具有极好的物理及化学稳定性、极强的抗辐照能力和机械...

一、技术简介 MOCVD （Metal Organic Chemical Vapor Deposition）设备，即金属有机物化学气相沉积设备，是化合物半导体外延材料研究和生产的关键设备，特别适合化合物半导体功能结构材料的规模化工业生产，是其它半导体设备所无法替代的核心半导体设备，是...

成果简介： 实验室将一类作为农作物杀菌剂的化合物用于缓蚀剂，得到一类缓蚀效率高，易在自然条件下生物降解，无毒或毒性极小，不会对环境造成污染的缓蚀剂，这类缓蚀剂成本低，应用简便，只需定期加入循环冷却水中，缓蚀剂分子通过N、S等原子与铜发生螯合作...